인피니언 테크놀로지스는 새로운 CoolSiC 기술인 CoolSiC MOSFET 1200V M1H를 발표했다.

첨단 실리콘 카바이드 칩은 널리 사용되는 다양한 Easy 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공될 것이다.

유연성이 뛰어난 M1H 칩은 태양광 에너지 시스템의 인버터같이 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션뿐만 아니라 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 및 다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다.

CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 하여 주어진 다이 크기로 온 저항을 향상시킨다.

또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다.

M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다.

널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해서 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상시키게 되었으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다.

새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높이고 업계에서 가장 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 되었다. M1H 칩을 사용해서 모듈의 온 저항을 크게 향상시키고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있게 되었다.