ST마이크로일렉트로닉스와 혁신적 반도체 재료 설계 및 제조 분야의 선도기업인 소이텍이 SiC 기판 생산을 위한 양사 협력의 다음 단계를 발표했다.

향후 18개월에 걸쳐 ST는 소이텍의 기판 기술에 대한 적격 평가를 진행할 예정이다.

이번 협력의 목표는 향후 200mm SiC 기판 제조에 ST가 소이텍의 SmartSiC 기술을 채택함으로써 디바이스 및 모듈 제조 비지니스에 기판을 공급하는 것이며, 그 가운데 대량 생산이 이루어질 것으로 예상된다.

ST의 오토모티브 및 디스크리트 그룹 사장인 마르코 몬티는 “200mm SiC 웨이퍼로의 전환은 시스템 및 제품의 전기화를 가속화하면서 자동차 및 산업용 고객들에게 상당한 이점을 제공하게 된다. 이러한 전환은 제품 양산이 본격화됨에 따라 규모의 경제를 추진하는 데 중요하다"라며, “ST는 고품질 기판부터 대규모 프론트엔드 및 백엔드 생산에 이르기까지 제조 공정 전반에서 노하우를 극대화하고자 수직 통합 모델을 택했다. 제조 수율과 품질을 지속적으로 개선하는 것이 소이텍과 기술 협력을 추진하는 목적이다"라고 밝혔다.